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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
18.1
写入速度,GB/s
870.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3550
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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