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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
87
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
39
读取速度,GB/s
3,155.6
14.5
写入速度,GB/s
870.4
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3269
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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