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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
72
87
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
72
读取速度,GB/s
3,155.6
15.4
写入速度,GB/s
870.4
7.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1682
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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