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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
19.8
写入速度,GB/s
870.4
17.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4068
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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