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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
16.8
写入速度,GB/s
870.4
12.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2816
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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