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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
14.0
写入速度,GB/s
870.4
13.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2920
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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