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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
87
139
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
139
读取速度,GB/s
3,155.6
14.4
写入速度,GB/s
870.4
6.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1152
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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