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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
17.1
写入速度,GB/s
870.4
14.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3088
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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