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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
17.1
写入速度,GB/s
870.4
14.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3088
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor FSGG45F-D8KMB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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