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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
87
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
45
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3297
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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