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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3711
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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