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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
17.7
写入速度,GB/s
870.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3692
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
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