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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
18.9
写入速度,GB/s
870.4
14.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3356
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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