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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
19.7
写入速度,GB/s
870.4
14.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3401
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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