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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
20.0
写入速度,GB/s
870.4
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3559
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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