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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
16.3
写入速度,GB/s
870.4
12.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3202
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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