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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
16.8
写入速度,GB/s
870.4
11.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3072
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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