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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.3
写入速度,GB/s
870.4
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2489
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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