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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
87
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
66
读取速度,GB/s
3,155.6
16.4
写入速度,GB/s
870.4
9.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2038
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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