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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3305
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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