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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.3
写入速度,GB/s
870.4
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3247
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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