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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3135
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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