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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
87
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
42
读取速度,GB/s
3,155.6
15.9
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2885
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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