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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
17.9
写入速度,GB/s
870.4
15.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3634
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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