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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
87
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
40
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2786
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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