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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
87
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
37
读取速度,GB/s
3,155.6
14.4
写入速度,GB/s
870.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2712
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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