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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3325
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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