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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
17.0
写入速度,GB/s
870.4
8.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2503
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-139.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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