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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
19.7
写入速度,GB/s
870.4
16.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3608
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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