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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
16.7
写入速度,GB/s
870.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3133
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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