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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2706
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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