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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2935
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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