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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2935
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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