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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
87
左右 -314% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
21
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2769
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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