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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
18.4
写入速度,GB/s
870.4
15.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3711
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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