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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.9
写入速度,GB/s
870.4
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3504
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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