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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
17.2
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3199
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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