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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
17.9
写入速度,GB/s
870.4
14.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3356
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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