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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
23
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
21.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
23.0
写入速度,GB/s
870.4
21.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4565
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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