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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3209
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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