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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
87
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
75
读取速度,GB/s
3,155.6
14.3
写入速度,GB/s
870.4
6.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1548
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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