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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
14.7
写入速度,GB/s
870.4
7.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2244
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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