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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
15.1
写入速度,GB/s
870.4
9.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2516
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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