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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905700-026.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
87
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
53
读取速度,GB/s
3,155.6
15.3
写入速度,GB/s
870.4
11.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2703
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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