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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
87
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
37
读取速度,GB/s
3,155.6
14.3
写入速度,GB/s
870.4
11.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2841
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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