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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965589-024.D01G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
10.2
写入速度,GB/s
870.4
7.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2280
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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