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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
87
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
37
读取速度,GB/s
3,155.6
17.9
写入速度,GB/s
870.4
12.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2898
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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