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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
87
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
69
读取速度,GB/s
3,155.6
14.6
写入速度,GB/s
870.4
9.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1992
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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