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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
15.4
写入速度,GB/s
870.4
10.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2735
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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