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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
17.1
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3123
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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