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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
16.7
写入速度,GB/s
870.4
13.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3075
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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