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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
87
左右 -314% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
21
读取速度,GB/s
3,155.6
15.4
写入速度,GB/s
870.4
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2073
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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